公司的光掩膜版制造项目总建设期为5年，产品制程覆盖350-28nm（其中以45-28nm成熟制程为主），首批设备交付后分别预计将于2025年实现45纳米光掩膜版的量产，2028年实现28纳米光掩膜版的量产，全部达产后，年产半导体光掩膜版逾1.25万片。产品可广泛应用于高性能计算、人工智能、移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等众多产业涉及的集成电路半导体领域，能够满足多类晶圆设计、晶圆代工企业的采购需求，以及先进半导体芯片封装、半导体器件等产品的应用需求。

7月4日，据韩联社，三星内部消息称，三星电子将在2024年上半年为其半导体部门员工支付最高不超过月基本工资75%的奖金。晶圆代工和系统LSI部门的员工将获得月薪37.5%的奖金；存储芯片和半导体研究中心的员工将获得75%的奖金。

有消息称，三星电子的HBM3e（高带宽内存）芯片通过了英伟达的质量测试，将就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。三星随后表示否认，称这一消息“不属实”。