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灿瑞科技IPO注册申请获同意,LED照明驱动芯片营收逐年递增
9月6日,上海灿瑞科技股份有限公司(以下简称:灿瑞科技)科创板IPO注册获同意,公司将刊登招股资料,启动发行工作。
根据招股书,灿瑞科技专业从事高性能数模混合集成电路及模拟集成电路研发设计、封装测试和销售,目前已形成芯片设计及封装测试服务两类业务相互协同的产业布局,其中芯片设计业务已形成两大板块、六大系列、550余款的丰富产品体系。
两大板块产品为智能传感器芯片和电源管理芯片,其中智能传感器芯片主要包括磁传感器芯片和光传感器芯片,电源管理芯片主要包括屏幕偏压驱动芯片、闪光背光驱动芯片、LED照明驱动芯片、功率驱动芯片。

其中,电源管理芯片是灿瑞科技一大营收来源。2019-2021年,来自电源管理芯片的营收分别为7,927.51万元、14,213.59万元、28,058.86万元,营收占比分别为41.44%、49.87%、52.55%,营收及营收占比逐年提高。

灿瑞光电主要产品及服务的销售收入情况
而在电源管理芯片中,LED照明驱动芯片的营收也正逐年提高。2019-2021年,LED照明驱动芯片分别实现营收1,397.56万元、1,554.64万元、1,925.73万元。

电源管理芯片业务销售收入情况
据悉,灿瑞科技的LED照明驱动芯片主要应用于室内外照明领域。在招股书中,灿瑞科技指出,2020年度,公司集成度较高的LED照明驱动芯片出货量持续增长,带动整体销售数量提升。2021年度,由于上游晶圆产能供应紧张,公司综合考虑经营发展重点,对其投入有所降低,产品销量降低;但由于上游晶圆产能供应紧张,原材料成本持续上涨,灿瑞科技LED照明驱动芯片销售单价有所提升,营收呈现增长。
本次冲A,灿瑞科技计划募集资金15.50亿元,扣除发行费用后将投资于以下项目:

其中,高性能传感器研发及产业化项目的研发方向包括磁传感器芯片和光传感器芯片,而磁传感器芯片则主要包括砷化镓(GaAs)磁传感器芯片、锑化铟(InSb)磁传感器芯片、TMR磁开关传感器、电流传感器芯片、三轴可编程线性磁传感器芯片以及高精度可编程角度传感器芯片等产品。
电源管理芯片研发及产业化项目则拟在现有电源管理芯片的基础上,加强对屏幕偏压驱动芯片及功率驱动芯片产品的研发,并开展锂电充电芯片、锂电保护芯片等新产品的研发及产业化。(LEDinside Lynn整理)
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K&S收购邑富股份点胶设备资产和业务
9月8日,外媒报道, K&S宣布,其子公司 Kulicke和 Soffa Luxembourg S.À.R.L.与台湾地区自动化设备企业高科晶捷(Advanced Jet Automation Co., Ltd.)达成一项收购协议,K&S将获得高科晶捷旗下附属公司,点胶设备和解决方案制造商邑富股份(Samurai Spirit Inc.)的指定点胶资产和点胶业务。

图片来源:邑富股份官网
据悉,K&S将本次所收购的相关实体、资产和业务统称为”AJA”。若收购完成,AJA将增强K&S现有的半导体、电子组装和先进显示器生产设备组合,同时也为K&S进入更广泛的点胶市场提供新的途径。
K&S表示, 点胶设备市场预计未来将持续扩大,为公司提供新的增长机会,而AJA在高精度点胶领域的现有市场地位和能力为K&S在电子组装、先进封装以及Mini和Micro LED领域提供了长期的发展机会。AJA的技术目前已和K&S的巨量转移设备PIXALUX™相结合,支持大批量MiniLED显示屏的生产。
K&S透露,此次收购包括了高精度点胶设备的设计和制造,能够满足助焊剂、焊膏、环氧树脂、粘合剂和底部填充的应用。
具体来说,AJA 专有的点胶头驱动器与其 AI 驱动软件相结合,可提供出色的端阀点胶(end-valve dispensing)和加工定位精度(process positioning accuracy),也可以形成尽可能小的keep-off-zone (KOZ)。同时,嵌入式 AOI检测设备和AI功能则进一步将 AJA的解决方案与同行进行区分,并支持K&S向工业 4.0 转型。
据了解,此次收购预计将在K&S 的2023财年第二季度完成。(LEDinside Irving编译)
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国星光电开发新一代Micro LED显示模组,综合良率达99.99%
凭借高分辨率、高亮度、高可靠性、低功耗等诸多优势,以及多元的应用场景,Micro LED迎来广阔的发展前景,各大企业加速布局,助推Micro LED商业化进程落地。
继第一代玻璃基透明被动驱动Micro LED显示模组——nStar Ⅰ之后,近日,国星光电又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。
据悉,nStarⅠ是国星光电在2020年6月推出的第一代Micro LED,采用玻璃基板工艺,全彩显示,透明度达60%。
此次推出的第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显示屏,像素间距300微米(P0.3),采用TFT驱动实现了8bit(256灰阶)色深的显示效果。
同时,基于自主搭建的Micro LED技术创新研发平台,nStar Ⅱ突破了巨量转移及巨量键合双重技术难题,其综合良率提升至99.99%,未来相关技术成果未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。

Micro LED Display:nStar Ⅱ(图片来源:国星光电)
据介绍,nStar Ⅱ玻璃基主动式驱动Micro LED显示屏是通过巨量转移技术将Micro LED微型芯片键合到玻璃基板上,利用TFT驱动实现高清画面显示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工艺迭代过程中,可在大面积上获得超精细线路结构的TFT玻璃基板是理想的技术选择。
此外,主动式驱动TFT背板既能实现Micro LED模组像素独立控制,避免驱动像素串扰,又能在提升模组显示亮度均匀性的同时大大降低功耗。
据悉,近年来,国星光电正从产品研发、技术专利储备、生产、企业合作等全方面入手积极推进Micro LED业务的发展。
2018年,国星光电在国内率先成立Mini & Micro LED研究中心,两年后年又成立了广东省半导体微显示重点实验室,联手产业链上中下游各个环节,同推进Mini/Micro LED产业化进程。
得益于前瞻性布局,国星光电于2021年10月成功开发出高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术,有效解决Micro LED红光芯片良率低、光效低、巨量转移难度高的技术痛点,推动高分辨率Micro LED全彩化显示的研发。
今年7月,国星光电推出新型MIP封装器件方案。据悉,该方案基于扇出封装技术思路,国星光电通过自主开发的巨量转移技术,采用黑化基板与高光提取封装路线构建全新MIP器件,大幅提高器件光电性能。
目前,国星光电已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破,Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件。
接下来,国星光电布局深耕新型微显示赛道,在玻璃基Micro LED技术路线方面,将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表;在硅基Micro LED技术路线方面,重点布局AR显示领域。( LEDinside整理)
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